Σχεδίαση VLSI Κυκλωμάτων

Εξάμηνο:
7ο
Τύπος Μαθήματος:
Προαιρετικό Μάθημα (ΠΜ)
Κατεύθυνση:
-
Κωδικός:
ΕΠ01
ECTS:
6
Διδακτικές Ώρες
Ώρες Θεωρίας:
3
Ώρες Φροντιστηρίου:
-
Ώρες Εργαστηρίου:
1
Ειδικεύσεις
Θεμελιώσεις Πληροφορικής (Ε1):
-
Διαχείριση Δεδομένων και Γνώσης (Ε2):
-
Λογισμικό (Ε3):
-
Υλικό και Αρχιτεκτονική (Ε4):
(B) Βασικό
Επικοινωνίες και Δικτύωση (Ε5):
-
Επεξεργασία Σήματος και Πληροφορίας (Ε6):
-
Σχετικά Μαθήματα
Περιγραφή Μαθήματος

Τεχνολογία κατασκευής Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων (Ο.Κ.) (ανάπτυξη κρυστάλλων, κατασκευή δισκιδίων, επιταξία, οξείδωση, διάχυση, εμφύτευση ιόντων, απόθεση στιβάδων), μέθοδοι σχεδίασης φυσικού αναπτύγματος (layout) Ο.Κ., κανόνες φυσικής σχεδίασης nMOS και CMOS, μικρολιθογραφία. Μοντέλα DC λειτουργίας των MOSFET. Βασικά ψηφιακά Ο.Κ. MOSFET (αναστροφέας, πύλη διέλευσης, συνδυαστικά κυκλώματα, ακολουθιακά, μνήμες). Αρχές πόλωσης των MOSFET (κυκλώματα πόλωσης τάσης, πηγές ρεύματος και ενεργοί φόρτοι). Ενισχυτές με μία και περισσότερες βαθμίδες (μοντέλα μικρού σήματος, βασικές αναλογικές δομικές βαθμίδες ενισχυτών, διαφορικός ενισχυτής, τελεστικός ενισχυτής). Απόκριση κατά συχνότητα των κυκλωμάτων με MOSFET (ισοδύναμα κυκλώματα Υ.Σ., αντιστάθμιση συχνότητας). Κυκλώματα διακοπτόμενων πυκνωτών (switched – capacitor  circuits) (αρχή λειτουργίας, εφαρμογές). Πρακτική εξάσκηση στη σχεδίαση φυσικού αναπτύγματος και στη σχεδίαση και προσομοίωση Ο.Κ. σε επίπεδο ηλεκτρονικού κυκλώματος.